Patentes:
Simulación Unión Túnel
Simulación Unión Túnel
Año:2012
Áreas de investigación
-
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Método implementado en computador para la simulación numérica de un dispositivo semiconductor que comprende uniones túnel | |
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Internacional
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Si |
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Estado
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Solicitada |
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Referencia Patente Prioritaria
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EP10382076.7. |
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En explotación
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No |
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Licenciatarios
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Fecha solicitud
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05/04/2010 |
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Titulares aparte de la UPM
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Participantes
- Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
- Autor: Pilar Espinet González (UPM)
- Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
- Autor: Mathieu Baudrit
- Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
- Departamento: Electrónica Física
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