Artículos en revistas:
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Año:2013
Áreas de investigación
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Caracterizacion, -
Defectos,
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Estructura,
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Transistores de efecto de campo de modulación de dopado (modfet),
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Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
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Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
Datos
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Descripción
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| Developer-based wet chemical etch of nearly lattice-matched InAlGaN/GaN heterostructures (HEMT-like) has been studied in detail by means of Rutherford backscattering spectroscopy, x-ray diffraction, atomic force microscopy and reciprocal space mapping (RSM). Etch isotropy depended on the rms surface roughness of the as-grown material. The profiles of etched samples varied in crack density, giving rise to island-like structures. We found that a possible reason for the preferential etching can be ascribed to the dislocations present in the quaternary layers originating in the underlying GaN. Moreover, the etched material suffers crystal relaxation as confirmed by RSM. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Semiconductor Science And Technology |
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ISSN
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0268-1242 |
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Factor de impacto JCR
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1,723 |
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Información de impacto
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Datos JCR del año 2011 |
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Volumen
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28 |
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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055007 |
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Hasta la página
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(6pp) |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Saurabh Pandey (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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