Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of AlN Spacer on Metal?Semiconductor?Metal Pt?InAlGaN/GaN Heterostructures for Ultraviolet Detection
Año:2013
Áreas de investigación
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas,
  • Dispositivos fotónicos receptores de luz,
  • Dispositivos semiconductores de potencia,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
We report on metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) fabricated on InAlGaN/GaN two-dimensional electron gas (2DEG) heterostructures. Electrical and photodetection properties were compared in two structures with and without an AlN spacer between the barrier (InAlGaN) and the GaN. The presence of the spacer hugely reduces the leakage current, allowing biasing at higher voltages. In photodetection, gain is obtained in both structures at a high bias. The photocurrent transient behavior revealed a faster response for excitation energy close to the GaN band edge than for energy above the barrier band edge. The fabrication and improvement of this type of device can lead to integration with the already mature high-electron-mobility transistor (HEMT) technology.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Japanese Journal of Applied Physics
ISSN
0021-4922
Factor de impacto JCR
1,058
Información de impacto
Datos JCR del año 2011
Volumen
52
DOI
Número de revista
Desde la página
08JK04
Hasta la página
4pp
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Saurabh Pandey (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Pavel Yu. Bokov (Faculty of Physics, Moscow State University)
  • Autor: Martin Feneberg (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
  • Autor: Gema Tabares Jimenez (UPM)
  • Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Ruediger Goldhahn (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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