Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Nanocrack-induced leakage current in AlInN/AlN/GaN
Año:2012
Áreas de investigación
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Here we report on the study of nano-crack formation in Al1?xInxN/AlN/GaN heterostructures, on its association with composition fluctuation and on its local electrical properties. It is shown here that indium segregation at nano-cracks and threading dislocations originating from the non-pseudomorphic AlN interlayer could be the cause of the high reverse-bias gate leakage current of Ni/Au Schottky contacts on Al1?xInxN/AlN/GaN heterostructures and significantly affects the contact rectifying behavior. Segregation of indium around crack tips in Al1?xInxN acting as conductive paths was assessed with conductive atomic force microscopy.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Scripta Materialia
ISSN
1359-6462
Factor de impacto JCR
2,699
Información de impacto
Datos JCR del año 2011
Volumen
66
DOI
Número de revista
Desde la página
327
Hasta la página
330
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: albert minj (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Daniela Cavalcoli (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: saurabh pandey (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Beatrice Fraboni (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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