Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Optoelectronic Application of the 3C-Silicon Carbide with Substitutional VIII-Group Atoms
Año:2013

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
ISSN
1932-7447
Factor de impacto JCR
4,805
Información de impacto
Volumen
117
DOI
10.1021/jp4074015
Número de revista
42
Desde la página
21949
Hasta la página
21954
Mes
Ranking
0
Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física