Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Año:2012
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
101
DOI
10.1063/1.4773008
Número de revista
25
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Mes
Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: j. m. llorens
  • Autor: b. alen
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: d. l. sales
  • Autor: d. gonzalez
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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