Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Ab-Initio calculations including Van der Waals interactions: the SnS2 layered material.
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
Descripción
Tin disulfide SnS2 was recently proposed as a high efficiency solar cell precursor [1]. The aim of this work is a deep study of the structural disposition of the most important polytipes of this layered material, not only describing the electronic correlation but also the interatomic Van der Waals interactions that is present between the layers. The two recent implementations to take Van der Waals interactions into account in the VASP code are the self-consistent Dion et al. [2] functional optimized for solids by Michaelides et al [3] and the Grimme [4] dispersion correction that is applied after each autoconsistent PBE electronic calculation. In this work these two methods are compared with DFT PBE functional. The results we will presented at this Conference, demonstrates the enhancement of the geometric parameters by the use of the Van der Waals interactions in agreement with the experimental values.
Internacional
Si
Nombre congreso
GEFES2012
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Madrid
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0-000000-00-0
DOI
Fecha inicio congreso
25/01/2012
Fecha fin congreso
27/01/2012
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Título de las actas
Proc. GEFES2012
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Física y Química Aplicadas a la Técnica Aeronáutica
  • Departamento: Tecnologías Especiales Aplicadas a la Telecomunicación