Artículos en revistas:
A comprehensive diagram to grow metal-polarity InGaN alloys by molecular beam epitaxy
A comprehensive diagram to grow metal-polarity InGaN alloys by molecular beam epitaxy
Año:2012
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| The composition,strainandsurfacemorphologyof(0001)InGaNlayersareinvestigatedasafunctionof growth temperature(460?645 1C) andimpingingInflux.Threedifferentgrowthregimes:nitrogen-rich, metal-richandintermediatemetal-rich,areclearlyidentifiedandfoundtobeincorrelationwith surface morphologyandstrainrelaxation. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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Applied physics letters |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: Noemi Garcia Lepetit (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Sergio Fernandez Garrido (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
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- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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