Artículos en revistas:
Impact of N2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance
Impact of N2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance
Año:2012
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
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Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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| The effects of power and time conditions of in situ N2 plasma treatment, prior to silicon nitride (SiN) passivation, were investigated on an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT). These studies reveal that N2 plasma power is a critical parameter to control the SiN/AlGaN interface quality, which directly affects the 2-D electron gas density. Significant enhancement in the HEMT characteristics was observed by using a low power N2 plasma pretreatment. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Ieee Transactions on Electron Devices |
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ISSN
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0018-9383 |
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Factor de impacto JCR
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2,318 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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374 |
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Hasta la página
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379 |
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Mes
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FEBRERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Fernando Gonzalez Posadas (CEA-Grenoble)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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