|
Descripción
|
|
|---|---|
| Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography | |
|
Internacional
|
Si |
|
JCR del ISI
|
Si |
|
Título de la revista
|
Journal of Crystal Growth |
|
ISSN
|
0022-0248 |
|
Factor de impacto JCR
|
1,85 |
|
Información de impacto
|
|
|
Volumen
|
|
|
DOI
|
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.11.069 |
|
Número de revista
|
|
|
Desde la página
|
1 |
|
Hasta la página
|
4 |
|
Mes
|
SIN MES |
|
Ranking
|
|