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Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Año:2012
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Journal of Crystal Growth |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,85 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.11.069 |
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Número de revista
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Desde la página
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1 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: L.L Lopez
- Autor: S. Estradè
- Autor: J.M. Rebled
- Autor: F. Peiró
- Autor: G Nataf
- Autor: P de Mierry
- Autor: J. Zuñiga Perez
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
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