Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Año:2012
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,85
Información de impacto
Volumen
DOI
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.11.069
Número de revista
Desde la página
1
Hasta la página
4
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: L.L Lopez
  • Autor: S. Estradè
  • Autor: J.M. Rebled
  • Autor: F. Peiró
  • Autor: G Nataf
  • Autor: P de Mierry
  • Autor: J. Zuñiga Perez
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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