Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Año:2012
Áreas de investigación
  • Dispositivos sensores
Datos
Descripción
In the last decade the interest in nitride-based sensors (gas, ions...) and bio-sensors is increased. In the case of ion sensitive FET (ISFET), gate voltages induced by ions adsorbed onto the gate region modulate the source-drain currents.
Internacional
Si
Nombre congreso
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Sapporo (Japan)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
000-0-0000-0000-0
DOI
Fecha inicio congreso
14/10/2012
Fecha fin congreso
19/10/2012
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Título de las actas
Actas del IWN2012
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez-Uran Gonzalez (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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