Descripción
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In the last decade the interest in nitride-based sensors (gas, ions...) and bio-sensors is increased. In the case of ion sensitive FET (ISFET), gate voltages induced by ions adsorbed onto the gate region modulate the source-drain currents. | |
Internacional
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Si |
Nombre congreso
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International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012) |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Sapporo (Japan) |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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000-0-0000-0000-0 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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14/10/2012 |
Fecha fin congreso
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19/10/2012 |
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Título de las actas
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Actas del IWN2012 |