Observatorio de I+D+i UPM

Descripción
In the last decade the interest in nitride-based sensors (gas, ions...) and bio-sensors is increased. In the case of ion sensitive FET (ISFET), gate voltages induced by ions adsorbed onto the gate region modulate the source-drain currents.
Internacional	Si
Nombre congreso	International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Tipo de participación	960
Lugar del congreso	Sapporo (Japan)
Revisores	Si
ISBN o ISSN	000-0-0000-0000-0
DOI
Fecha inicio congreso	14/10/2012
Fecha fin congreso	19/10/2012
Desde la página	1
Hasta la página	3
Título de las actas	Actas del IWN2012

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

• Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
• Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
• Autor: Miguel Angel Sanchez-Uran Gonzalez (UPM)
• Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)

• Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica