Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Internacional
Si
Nombre congreso
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012).
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Sapporo (Japan)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
000-0-0000-0000-0
DOI
Fecha inicio congreso
14/10/2012
Fecha fin congreso
19/10/2012
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Título de las actas
Actas del IWN2012
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Zarko Gacevic Jovanovic UPM
  • Autor: Saurabh Pandey Department of Physics, University of Bologna
  • Autor: Anna Cavallini Department of Physics, University of Bologna
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica