Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures
Año:2012
Áreas de investigación
-
Otros dispositivos electrónicos,
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Dispositivos fotónicos receptores de luz
Datos
Descripción
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Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures
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Internacional
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Si |
Nombre congreso
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International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012) |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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000-0-0000-0000-0 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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14/10/2012 |
Fecha fin congreso
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19/10/2012 |
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1 |
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3 |
Título de las actas
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Actas del IWN2012 |
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
- Autor:
Tommaso Brazzini . (UPM) - Autor: Saurabh Pandey (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor:
Fatima Romero Rojo (UPM) - Autor: Pavel Yu. Bokov (Faculty of Physics, Moscow State University)
- Autor: Martin Feneberg (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
- Autor:
Gema Tabares Jimenez (UPM) - Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Ruediger Goldhahn (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
- Autor:
Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica