Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures
Año:2012
Áreas de investigación
  • Otros dispositivos electrónicos,
  • Dispositivos fotónicos receptores de luz
Datos
Descripción
Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures
Internacional
Si
Nombre congreso
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Revisores
Si
ISBN o ISSN
000-0-0000-0000-0
DOI
Fecha inicio congreso
14/10/2012
Fecha fin congreso
19/10/2012
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Título de las actas
Actas del IWN2012
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
  • Autor: Saurabh Pandey (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Pavel Yu. Bokov (Faculty of Physics, Moscow State University)
  • Autor: Martin Feneberg (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
  • Autor: Gema Tabares Jimenez (UPM)
  • Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
  • Autor: Ruediger Goldhahn (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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