Ponencias en congresos:
Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures
Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures
Año:2012
Áreas de investigación
-
Otros dispositivos electrónicos, -
Dispositivos fotónicos receptores de luz
Datos
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Descripción
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| Photoresponse of metal-semiconductor-metal InAlGaN/GaN structures | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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000-0-0000-0000-0 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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14/10/2012 |
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Fecha fin congreso
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19/10/2012 |
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Desde la página
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1 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Actas del IWN2012 |
Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Saurabh Pandey (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Pavel Yu. Bokov (Faculty of Physics, Moscow State University)
- Autor: Martin Feneberg (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
- Autor: Gema Tabares Jimenez (UPM)
- Autor: Anna Cavallini (Department of Physics, University of Bologna)
- Autor: Ruediger Goldhahn (Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
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- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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