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Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers
Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers
Año:2012
Áreas de investigación
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Física
Datos
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Descripción
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| Crecimiento de películas delgadas de ZnO:Al a baja temperatura mediante pulverización catódica de radio frecuencia sober InN, y su estudio como contactos eléctricos transparentes. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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Physica Status Solidi C-Current Topics |
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ISSN
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1610-1642 |
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Factor de impacto JCR
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0,737 |
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Información de impacto
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Volumen
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9 |
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DOI
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10.1002/pssc.201100146 |
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Número de revista
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3-4 |
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Desde la página
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1065 |
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Hasta la página
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1069 |
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Mes
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MARZO |
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Ranking
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"Condensed Matter Physics" (SCImago Journal Rank (según la base de datos Scopus de Elsevier) 2012): 72/118 |
Participantes
- Autor: Susana Fernández (Departamento de Energías Renovables, Energía Solar Fotovoltaica, Centro de Investigaciones Energéticas, Medioambientales y Tecnológicas (CIEMAT))
- Autor: Fernando B. Naranjo (Grupo de Ingeniería Fotónica, Departamento de Electrónica, Escuela Politécnica Superior)
- Autor: Oscar de Abril Torralba (UPM)
- Autor: Sirona Valdueza-Felip (Grupo de Ingeniería Fotónica, Departamento de Electrónica, Escuela Politécnica Superior)
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