Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Optical in situ monitoring of hydrogen desorption from Ge(100) surfaces
Año:2013
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Molecular hydrogen strongly interacts with vicinal Ge(100) surfaces during preparation in a metal organic vapor phase epitaxy reactor. According to X-ray photoemission spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy results, we identify two characteristic reflection anisotropy (RA) spectra for H-free and monohydride-terminated vicinal Ge(100) surfaces. RAS allows in situ monitoring of the surface termination and enables spectroscopic hydrogen kinetic desorption studies on the Ge(100) surface. Comparison of evaluated values for the activation energy and the pre-exponential factor of H desorption evaluated at different photon energies reflects that H unevenly affects the shape of the RA spectrum.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
102
DOI
10.1063/1.4798248
Número de revista
11
Desde la página
111608-1
Hasta la página
111608-4
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes UPM
  • Autor: sebastian brueckner
  • Autor: oliver supplie
  • Autor: peter kleinschmidt
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado UPM
  • Autor: thomas hannappel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física