Estancias o Sabáticos:
Characterization of materials involved in the development of III-V-on-Silicon solar cells.
Characterization of materials involved in the development of III-V-on-Silicon solar cells.
Año:2013
Áreas de investigación
-
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Development of a high efficiency multi-junction solar cell technology based on cheap and abundant substrates (Cz B: Si) | |
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Internacional
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Si |
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Lugar
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Columbus, Ohio. Estados Unidos |
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Tipo
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Miembros en el extranjero |
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Fecha inicio
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01/02/2013 |
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Fecha fin
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30/04/2013 |
Participantes
- Autor: Elisa Garcia-Tabares Valdivieso (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
- Departamento: Electrónica Física
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