Artículos en revistas:
Insight into the Compositional and Structural Nano Features of AlN/GaN DBRs by EELS-HAADF
Insight into the Compositional and Structural Nano Features of AlN/GaN DBRs by EELS-HAADF
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
|
Internacional
|
Si |
|
JCR del ISI
|
Si |
|
Título de la revista
|
MICROSCOPY AND MICROANALYSIS |
|
ISSN
|
1431-9276 |
|
Factor de impacto JCR
|
3,007 |
|
Información de impacto
|
|
|
Volumen
|
19 |
|
DOI
|
10.1017/S1431927613000512 |
|
Número de revista
|
3 |
|
Desde la página
|
698 |
|
Hasta la página
|
705 |
|
Mes
|
SIN MES |
|
Ranking
|
0 |
Participantes
- Autor: A. Eljarrat
- Autor: L. López-Conesa
- Autor: C. Magen
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: S. Fernández
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: S. Estradé
- Autor: J. Peiró
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)