Memorias de investigación
Research Publications in journals:
A comprehensive diagram to grow (0001)InGaN alloys by molecular beam epitaxy
Year:2013

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISBN
0022-0248
Impact factor JCR
1,726
Impact info
Volume
364
10.1016/j.jcrysgro.2012.11.031
Journal number
From page
123
To page
127
Month
SIN MES
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica