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Diamond underlayer microstructure effect on the orientation of AlN piezoelectric layers for high frequency SAW resonators by TEM
Diamond underlayer microstructure effect on the orientation of AlN piezoelectric layers for high frequency SAW resonators by TEM
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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MICROELECTRONIC ENGINEERING |
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ISSN
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0167-9317 |
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Factor de impacto JCR
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1,557 |
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Información de impacto
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Volumen
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112 |
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DOI
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10.1016/j.mee.2013.04.007 |
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Número de revista
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Desde la página
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193 |
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Hasta la página
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197 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor: f. lloret
- Autor: d. araujo
- Autor: m. p. villar
- Autor: Juan Rodriguez Madrid (UPM)
- Autor: Gonzalo Fuentes Iriarte (UPM)
- Autor: o. a. williams
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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