Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Direct comparison of traps in InAlN/GaN and AlGaN/GaN high electron mobility transistors using constant drain current deep level transient spectroscopy
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
103
DOI
10.1063/1.4813862
Número de revista
3
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4
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: a. sasikumar
  • Autor: a. r. arehart
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: y. pei
  • Autor: d. brown
  • Autor: f. recht
  • Autor: m. a. di forte-poisson
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: M.J Tadjer
  • Autor: s. keller
  • Autor: s. p. denbaars
  • Autor: u. k. mishra
  • Autor: s. a. ringel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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