Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Spontaneous formation of InGaN nanowall network directly on Si
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías,
-
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
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Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM
http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
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Internacional
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Si |
JCR del ISI
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Si |
Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
ISSN
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0003-6951 |
Factor de impacto JCR
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3,844 |
Información de impacto
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Volumen
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102 |
DOI
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10.1063/1.4803017 |
Número de revista
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17 |
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
- Autor:
Paul Soto Rodriguez (UPM) - Autor:
Praveen Kumar . (UPM) - Autor:
Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM) - Autor:
Naveed Ul Hassan Alvi (UPM) - Autor:
Jose Martinez Manuel (UPM) - Autor: j. m. manuel
- Autor: f. m. morales
- Autor: j. j. jimenez (UPM)
- Autor: r. garcia
- Autor:
Enrique Calleja Pardo (UPM) - Autor:
Richard Notzel . (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica