Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Insight into high-reflectivity AlN/GaN Bragg reflectors with spontaneously formed (Al,Ga)N transient layers at the interfaces
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,168
Información de impacto
Volumen
113
DOI
http://dx.doi.org/10.1063/1.4805054
Número de revista
18
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7
Mes
SIN MES
Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: A. Eljarrat
  • Autor: F. Peiró
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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