Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANOTECHNOLOGY
ISSN
0957-4484
Factor de impacto JCR
3,979
Información de impacto
Volumen
24
DOI
10.1088/0957-4484/24/17/175303
Número de revista
17
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Mes
SIN MES
Ranking
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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica