Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANOTECHNOLOGY
ISSN
0957-4484
Factor de impacto JCR
3,979
Información de impacto
Volumen
24
DOI
10.1088/0957-4484/24/17/175303
Número de revista
17
Desde la página
0
Hasta la página
8
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: X Kong
  • Autor: A. Trampert
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)