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Selective area growth and characterization of GaN nanocolumns, with and without an InGaN insertion, on semi-polar (11-22) GaN templates
Selective area growth and characterization of GaN nanocolumns, with and without an InGaN insertion, on semi-polar (11-22) GaN templates
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,844 |
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Información de impacto
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Volumen
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103 |
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DOI
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10.1063/1.4846455 |
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Número de revista
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24 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: j. zuniga-perez
- Autor: p. de mierry
- Autor: a. trampert
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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