Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Self-Regulated Radius of Spontaneously Formed GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANO LETTERS
ISSN
1530-6984
Factor de impacto JCR
13,198
Información de impacto
Volumen
13
DOI
10.1021/nl401483e
Número de revista
7
Desde la página
3274
Hasta la página
3280
Mes
SIN MES
Ranking
0

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: sergio fernandez-garrido
  • Autor: vladimir m. kaganer
  • Autor: karl k. sabelfeld
  • Autor: tobias gotschke
  • Autor: J. Grandal
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: oliver brandt
  • Autor: lutz geelhaar

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica