Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Simple and Accurate Method to Estimate Channel Temperature and Thermal Resistance in AlGaN/GaN HEMTs
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,318
Información de impacto
Volumen
60
DOI
10.1109/TED.2013.2284851
Número de revista
12
Desde la página
4105
Hasta la página
4111
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Wang Ashu . (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: M. Tadjer
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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