Artículos en revistas:
Ultrasensitive non-chemically amplified low-contrast negative electron beam lithography resist with dual-tone behaviour
Ultrasensitive non-chemically amplified low-contrast negative electron beam lithography resist with dual-tone behaviour
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C |
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ISSN
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2050-7526 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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1 |
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DOI
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10.1039/c2tc00148a |
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Número de revista
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7 |
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Desde la página
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1392 |
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Hasta la página
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1398 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor: Victor Canalejas Tejero (UPM)
- Autor: sergio carrasco
- Autor: fernando navarro-villoslada
- Autor: jose luis garcia fierro
- Autor: maria del carmen capel-sanchez
- Autor: maria cruz moreno-bondi
- Autor: Carlos Angulo Barrios (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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