Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Ultrasensitive non-chemically amplified low-contrast negative electron beam lithography resist with dual-tone behaviour
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
ISSN
2050-7526
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
1
DOI
10.1039/c2tc00148a
Número de revista
7
Desde la página
1392
Hasta la página
1398
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Victor Canalejas Tejero (UPM)
  • Autor: sergio carrasco
  • Autor: fernando navarro-villoslada
  • Autor: jose luis garcia fierro
  • Autor: maria del carmen capel-sanchez
  • Autor: maria cruz moreno-bondi
  • Autor: Carlos Angulo Barrios (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)