Artículos en revistas:
Eliminating the buffer between InGaN and Si
Eliminating the buffer between InGaN and Si
Año:2013
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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Compound Semiconductor |
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ISSN
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1096-598X |
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Factor de impacto JCR
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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http://www.compoundsemiconductor.net/csc/adminpane |
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Número de revista
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61 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Praveen Kumar . (UPM)
- Autor: Richard Notzel . (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: Naveed Ul Hassan Alvi (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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