Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN
Year:2013

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
Applied Physics Letters
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,794
Impact info
Volume
102
10.1063/1.4790645
Journal number
From page
052112
To page
052112
Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: Fatima Romero Rojo UPM
  • Autor: M. Feneberg
  • Autor: B. Neuschl
  • Autor: K. Thonke
  • Autor: M. Röppischer
  • Autor: et al

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM