Ponencias en congresos:
Nitride 2DEG-based devices for UV photodetection
Nitride 2DEG-based devices for UV photodetection
Año:2013
Áreas de investigación
-
Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas, -
Dispositivos fotónicos receptores de luz
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10) |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Washington DC, (USA) |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
25/08/2013 |
|
Fecha fin congreso
|
30/08/2013 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
3 |
|
Título de las actas
|
Proceedings |
Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
- Autor: Jean-François Carlin (EPFL)
- Autor: Nicolas Granjean (EPFL)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)