Ponencias en congresos:
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different cap layers: GaN, in situ SiN, and in situ SiN/GaN
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different cap layers: GaN, in situ SiN, and in situ SiN/GaN
Año:2013
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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10th International Conference on Nitride Semiconductors |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Washington, DC (USA), 2013 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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25/08/2013 |
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Fecha fin congreso
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30/05/2013 |
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Desde la página
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Wang Ashu . (UPM)
- Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: AD Koehler
- Autor: TJ Anderson
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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