Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different in situ cap layers
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
37th International Workshop on Compound Semiconductors and Integrated Circuits, Wocsdice 2013.
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Warnemünde (Germany), 2013
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
09/12/2013
Fecha fin congreso
11/12/2013
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Wang Ashu . (UPM)
  • Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: A.D Koehler
  • Autor: T.J Anderson
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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