Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
10th International Conference on Nitride Semiconductors.
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Washington DC, (USA), 2013
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
25/08/2013
Fecha fin congreso
30/08/2013
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Título de las actas
Proceedings

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Wang Ashu . UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: TJ Anderson
  • Autor: R. Baranyaj
  • Autor: J.W Pomeroy
  • Autor: T.I Feygelson
  • Autor: K.D Hobart
  • Autor: B. B Pate
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: M. Kuball

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica