Memorias de investigación
Communications at congresses:
Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
Year:2013

Research Areas
  • Engineering

Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
10th International Conference on Nitride Semiconductors.
960
Place
Washington DC, (USA), 2013
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
25/08/2013
End Date
30/08/2013
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Wang Ashu . UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: TJ Anderson
  • Autor: R. Baranyaj
  • Autor: J.W Pomeroy
  • Autor: T.I Feygelson
  • Autor: K.D Hobart
  • Autor: B. B Pate
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: M. Kuball

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica