Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Coalescence of selective area growth GaN by MBE, for high quality polar, non polar and semi polar templates
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
ICNS 2013, 10th International Conference on Nitride Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Washington ? DC Metropolitan Area, USA
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
25/08/2013
Fecha fin congreso
30/08/2013
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica