Memorias de investigación
Conferences:
GaAsSb(N)-capped InAs quantum dots: from atomic scale characterization to improved devices
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
0000000000000
Entity
Energy Materials Nanotechnology (EMN) Fall meeting
Entity Nationality
Sin nacionalidad
Place
Orlando FL (USA), 2013
Participants
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica