Artículos en revistas:
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Materials Science Forum |
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ISSN
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0255-5476 |
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Factor de impacto JCR
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0,399 |
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Información de impacto
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Volumen
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740-742 |
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DOI
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10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.553 |
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Número de revista
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Desde la página
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553 |
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Hasta la página
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556 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: A. Constant
- Autor: P. Godignon
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Alberto Bosca Mojena (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: M. Berthou
- Autor: Jose Maria Fuster Millan (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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