Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Materials Science Forum
ISSN
0255-5476
Factor de impacto JCR
0,399
Información de impacto
Volumen
740-742
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.553
Número de revista
Desde la página
553
Hasta la página
556
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: A. Constant
  • Autor: P. Godignon
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Alberto Bosca Mojena (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: M. Berthou
  • Autor: Jose Maria Fuster Millan (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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