Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Room temperature luminescence beyond 1.3 ìm from GaAsSbN-capped InAs quantum dots
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.ph
Internacional
Si
Nombre congreso
Novel Gain Materials and Devices Based on III-V-N/Bi Compounds
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Istambul, Turkey
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
24/09/2013
Fecha fin congreso
26/09/2013
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: L Domínguez
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: D. González
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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