Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Optimization of the luminescence emission in nanocrystalline SiGe/SiO2 multilayers
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Luminescent multilayers of SiGe nanocrystals embedded in an oxide matrix have been fabricated by Low Pressure Chemical Vapour Deposition of SiGe and SiO2 in a single run followed by a Rapid Thermal Annealing treatment to crystallize the SiGe nanoparticles. Structural parameters like the diameter of the nanoparticles and the oxide interlayer thickness, as well as the annealing conditions have been investigated in order to get the maximum intensity of the luminescence emission. Structures with small nanoparticles (3¿4.5 nm) separated by thick oxide barriers (≈35 nm) annealed at 900 °C for 60 s yield the maximum intensity as a result of a compromise between the appropriate crystallization of the small nanoparticles and a reduced degradation of their composition by Ge diffusion. An additional treatment at 450 °C in forming gas for dangling-bond passivation increases the intensity of the luminescence by 25%.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYS STATUS SOLIDI A
ISSN
0031-8965
Factor de impacto JCR
1,214
Información de impacto
Volumen
204
DOI
Número de revista
6
Desde la página
1639
Hasta la página
1644
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: A. Kling
  • Participante: M.I. Ortiz
  • Participante: M Avella
  • Autor: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
  • Autor: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Participante: A.C. Prieto
  • Participante: C Ballesteros (U)
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Participante: J. Jiménez (Universidad de Valladolid)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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