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Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds
Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds
Año:2013
Áreas de investigación
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Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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Internal Seminars by ISOM members |
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Entidad organizadora
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ISOM-ETSIT-UPM |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Lugar/Ciudad de impartición
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Madrid, Spain |
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Fecha inicio
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20/12/2013 |
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Fecha fin
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20/12/2013 |
Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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