Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Induced Surface Roughness to Promote the Growth of Tilted-AlN Films for Shear Mode Resonators
Año:2013
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Two methods currently used to induce surface roughness that promotes the growth of AlN tilted grains to fabricate shear mode resonators have been investigated. The first one involves the use of a rough substrate to provide tilted facets on which the AlN grains will grow with a certain angle. The second method is based on using a thin non-piezoelectric AlN seed layer that exhibits high populations of {10·3} and {10·2} planes. The influence of the power applied to the Al target and the total gas pressure during the deposition process of the AlN seed layer has been studied and correlated with the k2 shear of the resonators. The best fabricated devices show a shear mode resonance frequency at around 1.45 GHz, a k2 shear up to 3.64% and a Qshear above 230 when operating in air, which reduces to 108 when operating in liquid.
Internacional
Si
Nombre congreso
2013 Joint UFFC, EFTF and PFM Symposium
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Praga, República Checa
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4799-0342-9
DOI
Fecha inicio congreso
21/07/2013
Fecha fin congreso
25/07/2013
Desde la página
274
Hasta la página
277
Título de las actas
2013 Joint UFFC, EFTF and PFM Symposium Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Mario De Miguel Ramos (UPM)
  • Autor: Marta Clement Lorenzo (UPM)
  • Autor: Jimena Olivares Roza (UPM)
  • Autor: José Capilla Osorio (UPM)
  • Autor: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Iborra Grau (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Tecnología Electrónica
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