Memorias de investigación
Stays or Sabbaticals:
Mitigación de SETs en estructuras de test basadas en osciladores en anillo
Year:2013

Research Areas
  • Microelectronic design,
  • Verification of digital integrate circuits

Information
Abstract
La estancia se ha realizado en la Universidad de Vanderbilt porque consta de uno de los grupos líderes en el ámbito del diseño de sistemas electrónicos para entornos de radiación. Estudio en el que se enmarca la tesis que se está llevando a cabo. La colaboración con el Radiation Effects and Realibilty Group de la Universidad de Vanderbilt ha consistido principalmente en dos puntos fundamentales. Por un lado se ha adquirido conocimiento acerca de los diferentes métodos que se utilizan para la realización de pruebas de test y caracterización de circuitos electrónicos con los equipos de los que dispone la Universidad de Vanderbilt que son: Pelletron, Aracor, láser, rayos-X y fuentes de material radiactivo. Además, se ha participado en la realización de alguna de una prueba del Pelletron, que es un acelerador de partículas, capaz de producir Single Event Effects en los sistemas bajo prueba, simulando las condiciones que pueden soportar estos circuitos en entornos de radiación. Además, se han compartido los resultados y la elaboración de las pruebas realizadas. Por otro lado, se ha colaborado en el diseño, implementación y simulación de un oscilador en anillo tolerante a radiación. Los osciladores en anillos son estructuras muy utilizadas en estructuras de test, debido a su robustez. Como su propio nombre indica son osciladores cuya salida digital varía entre dos valores con una frecuencia determinada. Al tratarse de una estructura realimentada, su exposición a radiación puede producir diferentes efectos. El primero es la deriva de la frecuencia debido a la variación del comportamiento de los transistores por la acumulación de carga en las capas de óxido de las intercaras, y por otro lado, la ocurrencia de un Single Event Transient (SET) puede dar lugar al cambio de la frecuencia portadora por el tercer armónico. Este último efecto, es el que se ha estudiado más en profundidad y del que se han propuesto varias soluciones.
International
Si
Place
Universidad de Vanderbilt EEUU
Type
Miembros en el extranjero
Start Date
27/09/2013
End Date
23/12/2013
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Laboratorio de Sistemas Integrados (LSI)