Ponencias en congresos:
Ultra Wideband, High Efficiency RF Power Amplifier based on GaN HEMTs
Ultra Wideband, High Efficiency RF Power Amplifier based on GaN HEMTs
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Ultra Wideband, High Efficiency RF Power Amplifier based on GaN HEMTs | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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ARMMS RF & Microwave Society conference |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Stenventon, Inglaterra |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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978-1-4799-0090-9 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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22/04/2013 |
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Fecha fin congreso
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23/04/2013 |
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Desde la página
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1 |
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Hasta la página
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4 |
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Título de las actas
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Proceedings of the ARMMS RF & Microwave Society conference |
Participantes
- Autor: Fco. Javier Ortega Gonzalez (UPM)
- Autor: Moises Patiño Gomez (UPM)
- Autor: David Tena Ramos (UPM)
- Autor: Jose Manuel Pardo Martin (UPM)
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- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Ingeniería de Radio (GIRA)
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