|
Descripción
|
|
|---|---|
| Es una prolongación por un año del de mismo código obtenido en 2010. El objetivo es el desarrollo de técnicas de crecimiento de nanohilos de SiGe sobre silicio a partir de LPCVD utilizando diversas semillas, su dopado y su caracterización desde el punto de vista estructural, eléctrico y de conducción térmica, | |
|
Internacional
|
No |
|
Tipo de proyecto
|
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
|
Entidad financiadora
|
CICYT |
|
Nacionalidad Entidad
|
Sin nacionalidad |
|
Tamaño de la entidad
|
Desconocido |
|
Fecha concesión
|
01/01/2010 |