Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
A 0.0016 mm(2) 0.64 nJ Leakage-Based CMOS Temperature Sensor
Año:2013
Áreas de investigación
  • Componente electrónico,
  • Conversión a/d y d/a para instrumentación,
  • Diseño de circuitos integrados híbridos
Datos
Descripción
This paper presents a CMOS temperature sensor based on the thermal dependencies of the leakage currents targeting the 65 nm node. To compensate for the effect of process fluctuations, the proposed sensor realizes the ratio of two measures of the time it takes a capacitor to discharge through a transistor in the subthreshold regime. Furthermore, a novel charging mechanism for the capacitor is proposed to further increase the robustness against fabrication variability. The sensor, including digitization and interfacing, occupies 0.0016 mm2 and has an energy consumption of 47.7?633 pJ per sample. The resolution of the sensor is 0.28 °C, and the 3? inaccuracy over the range 40?110 °C is 1.17 °C.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SENSORS
ISSN
1424-8220
Factor de impacto JCR
1,739
Información de impacto
Volumen
13
DOI
10.3390/s130912648
Número de revista
9
Desde la página
12648
Hasta la página
12662
Mes
SEPTIEMBRE
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Pablo Ituero Herrero (UPM)
  • Autor: M. Luisa Lopez Vallejo (UPM)
  • Autor: Carlos Alberto Lopez Barrio (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Laboratorio de Sistemas Integrados (LSI)
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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