Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of intrinsic stress in diamond capping layers on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Internacional
No
JCR del ISI
No
Título de la revista
IEEE Trans. Electron Devices
ISSN
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
60
DOI
Número de revista
Desde la página
3149
Hasta la página
3156
Mes
OCTUBRE
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ashu Wang . UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Travis J. Anderson
  • Autor: Roland Baranyai
  • Autor: James W. Pomeroy,
  • Autor: Tatyana I. Feygelson
  • Autor: Karl D. Hobart
  • Autor: Bradford B. Pate
  • Autor: Fernando Calle
  • Autor: Martin Kuball
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica