Memorias de investigación
Artículos en revistas:
In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient
Año:2013

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,726
Información de impacto
Volumen
370
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2012.07.046
Número de revista
Desde la página
173
Hasta la página
176
Mes
Ranking
0

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Participantes

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  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar