Ponencias en congresos:
TEM study of spontaneous formation of InGaN nanowall network directly on Si for PV
TEM study of spontaneous formation of InGaN nanowall network directly on Si for PV
Año:2013
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
European Congress on Advanced Materials and Processes (EuroMat2013) |
|
Tipo de participación
|
960 |
|
Lugar del congreso
|
Sevilla (Spain), 2013 |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
0000000000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
08/09/2013 |
|
Fecha fin congreso
|
13/09/2013 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
3 |
|
Título de las actas
|
Proceedings |
Participantes
- Autor: JM Manuel
- Autor: FM Morales
- Autor: JJ Jimenez
- Autor: R. García
- Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
- Autor: Praveen Kumar . (UPM)
- Autor: Richard Notzel . (UPM)
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Naveed Ul Hassan Alvi (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)