Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
Desarrollo y Caracterización de Nanostructuras de Si/HF02/NC-SiGe/SiO2
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
El objetivo de este proyecto es el crecimiento de óxidos de hafnio sobre obleas de silicio para su utilización como alternativa al oxido de silicio en la puerta de los MOST. La técnica utilizada es el depósito mediante pulsos laser (PLD). Se caracterizan las propiedades dieléctricas y estructurales del material depositado.
Internacional
Si
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
Ministerio de Educación y Ciencia
Nacionalidad Entidad
ESPAÑA
Tamaño de la entidad
Gran Empresa (>250)
Fecha concesión
01/01/2006
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: C Ballesteros Pérez
  • Participante: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Participante: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Director: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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