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Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 |
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ISSN
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0255-5476 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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740-742 |
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DOI
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10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.553 |
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Número de revista
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Desde la página
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553 |
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Hasta la página
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556 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
marko j. tadjer (UPM) - Autor: s. martin-horcajo (UPM)
- Autor: a. bosca (UPM)
- Autor: f. calle (UPM)
- Autor: jose millan (UPM)
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- Creador: No seleccionado
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