Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012
ISSN
0255-5476
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
740-742
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.553
Número de revista
Desde la página
553
Hasta la página
556
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: marko j. tadjer (UPM)
  • Autor: s. martin-horcajo (UPM)
  • Autor: a. bosca (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: jose millan (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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