Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANOTECHNOLOGY
ISSN
0957-4484
Factor de impacto JCR
3,979
Información de impacto
Volumen
24
DOI
10.1088/0957-4484/24/17/175303
Número de revista
17
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Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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