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Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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NANOTECHNOLOGY |
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ISSN
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0957-4484 |
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Factor de impacto JCR
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3,979 |
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Información de impacto
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Volumen
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24 |
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DOI
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10.1088/0957-4484/24/17/175303 |
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Número de revista
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17 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
Steven Albert . (UPM) - Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
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- Creador: No seleccionado
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